晶體材料

. 負(fù)荷特性

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    近年來，各種晶體材料特別是以單晶硅、鑄錠硅、高純硅為代表的高科技附加值材料及其相關(guān)高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，成為當(dāng)代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的支柱，并使信息產(chǎn)業(yè)成為全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展中增長最快的先導(dǎo)產(chǎn)業(yè)。常用的負(fù)載爐型有：單晶爐、真空爐、多晶爐、中頻爐等。其生產(chǎn)工藝通常分為熔融加熱和直流加熱，熔融加熱多采用中頻加熱爐，直拉式單晶多采用直流加熱爐。但不論是中頻爐還是單晶爐均采用半導(dǎo)體可控整流方式，會產(chǎn)生非常大的電流諧波，對電網(wǎng)造成諧波污染，使得精密儀器精度失準(zhǔn)甚至誤動作，破壞了系統(tǒng)的無功補(bǔ)償，造成系統(tǒng)供電損耗的增加及損壞補(bǔ)償電容器等，對于單晶硅復(fù)雜的生產(chǎn)過程以及后期的精密加工流程都造成非常大的影響，因此電網(wǎng)的品質(zhì)間接決定著成品材料的品質(zhì)，幾乎所有的單晶硅制造生產(chǎn)線都面臨諧波問題。

■  單晶爐

●  負(fù)荷特性

◆  負(fù)載諧波含量大?？偸д娑雀哌_(dá)30%，但主要集中在5、7、11、13、17、19次，其中又以5、7、11次最為嚴(yán)重。

◆  屬于波動性負(fù)載，波動迅速頻繁；運(yùn)用傳統(tǒng)的無源濾波器根本滿足不了快速跟蹤的要求；

◆  功率因數(shù)較低，一般0.8左右；

■  中頻爐

●  負(fù)荷特性

◆  負(fù)載諧波含量大，總失真度最高達(dá)到了30%以上；

◆  基本上屬于穩(wěn)定負(fù)載，僅在出爐、升溫時有波動，諧波主要集中在5、7、11、13、17、19、23次，其中又以5、7、11次最為嚴(yán)重

◆  中頻爐一般運(yùn)行在1KHz～2KHz，因此諧波的頻譜范圍很寬，不僅存在大量低次諧波，如5、7、11次等，大于25次的高次諧波也大量存在，具體表現(xiàn)在系統(tǒng)電壓上含有大量毛刺；

◆  功率因數(shù)非常低，一般在0.7左右，面臨高額無功罰款；

◆  中頻電源的前級整流電路在換流時刻會產(chǎn)生很大的電壓缺口，失真度嚴(yán)重超標(biāo)，供電電源質(zhì)量很差；